美光宣告232层3D-NAND即将到来,未来十年的路线图将超过400层

2022-05-19 作者: 晴天

当地时间5月17日,据eeNews报道,美光科技公司表示,它将于今年晚些时候开始出货其下一代 3D-NAND 内存组件,即 232 层设备。

 

美光负责技术和产品的执行副总裁Scott DeBoer披露了未来十年的3D-NAND路线图,该路线图将超过400层。

 

图源:美光

 

在3D-NAND 生产中,美光已经在 96 层和 176 层闪存芯片上占据强势地位。DeBoer 表示,该公司将在 2022 年晚些时候开始增加 232 层闪存的制造规模。这将使该公司在市场上具备明显的领先优势。

 

该公司展示了一款带有三层单元的1Tbit 3D-NAND存储器芯片,但DeBoer表示,美光的重点将包括保持每个单元4bit的领先地位。

 

该存储器将包括CMOS下的阵列技术和双堆栈机制。DeBoer还称,与176层的版本相比,232层的版本将提供更高的密度、功率和带宽,性能细节将在后期公布。

 

此外,基于更高容量3D-NAND器件的固态硬盘预计将在2023年推出。

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