据《韩国经济日报》报道，三星执行副总裁兼DRAM产品与技术部负责人Hwang Sang-joong在加州圣何塞举行的“Memcon 2024”会议上透露了三星的产能扩增计划。

Hwang表示，三星预计今年的HBM芯片产量将比去年增长2.9倍，这一数字甚至高于三星早些时候在CES 2024上所预测的2.4倍的增长。

Hwang进一步指出，继第三代HBM2E和第四代HBM3成功量产后，三星计划在今年上半年开始大批量生产12层的第五代HBM，并同时推出32Gb晶粒的128GB DDR5内存。这些举措将有助于三星在AI时代进一步巩固和提升其在高性能、高容量内存市场的地位。

三星还公布了其HBM技术蓝图，预测到2026年，其HBM的出货量将比2023年高出13.8倍，而到了2028年，这一数字将进一步攀升至2023年的23.1倍。

目前，三星已经开始向客户提供最新的HBM3E 12H芯片的样品，并计划在今年上半年开始量产。

此次“Memcon 2024”会议的参与者包括其他重要的半导体和科技公司，如SK海力士（SK Hynix Inc.）、微软（Microsoft）、Facebook母公司Meta Platforms、英伟达（Nvidia）和超威（AMD）。

此外，三星半导体事业部门负责人 Kyung Kye-hyun 上周也透露了三星在AI芯片领域的最新进展。他表示，三星正在开发次世代AI芯片“Mach-1”，并已与Naver Corp.达成供应协议，预计今年底将交付首批产品。这一合作如达成，将有助于Naver减少对外部供应商（如英伟达）的依赖。

根据SemiAnalysis的最新估计，目前在HBM市场中，SK海力士占据了约73%的份额，而三星以22%的份额位居第二，美光则排名第三，占据约5%的市场份额。