国内唯一的 DRAM 芯片存储基地传来好消息。据行业公众号问芯Voice，昨日（28日），合肥长鑫第二期12寸厂房举行奠基仪式。据悉，新厂房是为未来进入1y nm以下工艺节点（接近15nm工艺）所做的前期准备。

 

 

据长鑫规划，第一个量产的工艺节点是19nm（10G1工艺），目前正在研发17nm（10G3工艺），之后拟研发10G4工艺节点（接近国际大厂15nm/1y nm工艺）。这次举行奠基仪式的二期厂房，主要生产10G4工艺技术以下芯片。另外，公司计划今年完成17nm工艺DDR5 和LPDDR5芯片研发。

 

若合肥长鑫成功实现规划，有望跻身三星、SK 海力士、美光全球三大DRAM巨头之列，成为第四大DRAM芯片厂。

 

需求高企 存储器产业迈入成长周期

 

受终端产品需求旺盛、数据中心回温带动，存储需求大幅拉高，推动存储器产业持续成长。

 

存储大厂美光CEO看高产业存储需求，指出NAND和DRAM供给面紧俏态势将延续至2022年。广发证券分析师蒲得宇、张晓飞也认为，由于买方急于欲拉高DRAM库存，DRAM价格已正式进入上涨周期。

 

DRAM Q2报价涨幅已进入全年峰值，从4月至6月累计涨幅将达到20-25%。不过，由于供需缺口持续拉大，分析师相继看好价格上扬空间，认为涨势并没有就此止步。

 

研究机构TrendForce表示，存储器原厂库存偏低，DRAM原厂平均库存仅3-4周，预估Q3整体DRAM价格将续涨约3-8%；IC Insights也上调对产值预估，预期全年将成长41%，并看好下半年价格继续上涨。

 

国内市场空间稳步上升 国产化比例加速提高

 

存储芯片市场集中度较高，市场中DRAM产品占比约53%，NAND则约为42%。据川财证券数据显示，我国存储芯片市场规模已从2015年的45.2亿美元增长至2020年的183.6亿美元，预计2024年将突破500亿美元。

 

然而，存储器行业目前主要被海外公司垄断，大陆进入产业较晚，因此作为全球存储最大市场，自给率水平较低。针对这一现状，国家已出台《国家信息化发展战略刚要》《中国制造2025》等一系列产业政策，支持存储产业发展。

 

这次合肥长鑫的DRAM扩产、先进工艺制程研发的举动，无疑是为国产化注入一剂强心剂。方正证券分析师陈杭曾指出，短期内我国DRAM自主化最大的希望就是合肥长鑫。

 

上市公司中，兆易创新与合肥长鑫发挥优势互补，于 2020 年 4 月签署了《框架采购协议》《代工服务协议》及《产品联合开发平台合作协议》日常交易框架协议，推动双方在DRAM产品销售、代工及工程端的紧密合作；

 

安集科技的抛光液产品在中芯国际、长江存储等大客户均规模放量，兴业证券此前预计，公司今年也将在合肥长鑫快速上量，后者有望成为第三大客户；

 

晶瑞股份的i线光刻胶已向合肥长鑫、中芯国际、士兰微、扬杰科技等行业头部客户供货；

 

鼎龙股份抛光垫产品已通过长江存储、武汉新芯、中芯国际、合肥长鑫等国内主流晶圆厂的认证。