在近日召开的GTC大会上，英伟达宣布推出一项将加速计算引入计算光刻技术领域的突破性成果。这是英伟达布与台积电、ASML、新思科技（Synopsys）合作的项目，旨在加快新一代芯片的设计和制造。

 

据介绍，计算光刻技术主要通过软件对整个光刻过程进行建模和仿真，以优化光源形状和掩膜板形状，缩小光刻成像与芯片设计差距，从而使光刻效果达到预期状态。

 

据光刻机龙头ASML介绍，计算光刻将算法模型与光刻机、测试晶圆的数据相结合，从而生成一个和最终曝光图案完全不同的掩模版设计，但这正是ASML想要达到的，因为只有这样才能得到所需要的曝光图案。

 

当下，台积电和EDA供应商新思正在将全新的NVIDIA cuLitho计算光刻技术软件库整合到最新一代NVIDIA Hopper架构GPU的软件、制造工艺和系统中。光刻机大厂ASML正在GPU和cuLitho方面与NVIDIA展开合作，并正在计划在其所有计算光刻软件产品中加入对GPU的支持。

 

通过这技术，未来的芯片能够有更小的晶体管和导线，同时加快产品上市时间，可提高大型数据中心的能效。另外，cuLitho在GPU上运行的性能比当前光刻技术工艺提高了40倍，能够为目前每年消耗数百亿CPU小时的大规模计算工作负载提供加速。

 

英伟达创始人兼首席执行官黄仁勋表示：“芯片行业是全球几乎所有其他行业的基础。光刻技术已临近物理极限，NVIDIA cuLitho的推出以及与台积电、ASML和新思科技的合作将使晶圆厂能够提高产量、减少碳足迹并为2纳米及更高工艺奠定基础。”

 

据悉，台积电将于今年6月开始对cuLitho进行生产资格认证，并会在2024年对2纳米制程开始风险性试产，2025年开始量产。