据镓仁半导体介绍，公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法，成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。

相较于传统的碳化硅半导体材料，氧化镓作为第四代半导体材料，在耐压性、成本和节能效率等方面展现出了显著优势。由于其出色的性能和相对较低的生产成本，氧化镓已成为制备功率器件、射频器件及探测器件的理想选择，并广泛应用于轨道交通、智能电网、新能源汽车、光伏发电、5G移动通信、国防军工等关键领域。

为了推动氧化镓产业的快速发展，科技部高新司早在2017年就将其纳入重点研发计划。安徽、北京等省市也纷纷将氧化镓列为重点研发对象。

据北京青年报报道，根据市场分析预测，2025年将迎来氧化镓市场的爆发式增长阶段，预计市场总值将达到280亿元。

在氧化镓产业即将迎来爆发期之际，各大厂商纷纷加速抢占市场。北京铭镓半导体有限公司董事长近日透露，近年来氧化镓订单呈现出指数型增长态势，今年开年企业便收到了大量订单，预计今年的订单量将突破千万。

中国科学院院士郝跃对于氧化镓的发展前景充满信心。他认为，在未来的10年左右，氧化镓器件有望成为具有竞争力的电力电子器件，与碳化硅器件展开直接竞争。业内专家也普遍认为，随着技术的不断进步和应用领域的拓展，氧化镓有望在未来替代碳化硅和氮化镓等传统半导体材料，成为新一代半导体材料的代表。

随着市场需求的不断增长和技术创新的持续推进，氧化镓有望成为引领半导体产业新一轮革命的关键力量。