报道指出，德州仪器韩国公司经理Jerome Shin在首尔举行的新闻发布会上表示，德州仪器正积极布局，准备在达拉斯和日本会津兴建全新的8吋晶圆厂。

Jerome Shin进一步指出，尽管过去人们普遍认为GaN芯片相较于碳化硅（SiC）芯片成本更高，但自2022年以来，这一观念已经发生了根本性的转变。

德州仪器通过将生产线从6吋晶圆厂转移到8吋晶圆厂，能够充分利用更大晶圆上更多的芯片空间，从而提高生产效率，并使得量产的GaN芯片价格更加亲民。目前，德州仪器的GaN芯片价格已经低于SiC芯片，展现出强大的市场竞争力。

未来，随着达拉斯和日本会津工厂的改造完成，德州仪器将能够进一步提供更具价格优势的解决方案。据悉，达拉斯工厂的扩产计划预计将于2025年全面完成，然而Jerome Shin并未透露日本会津工厂的具体时间表。

另外，有市场人士表示德州仪器的这一计划可能会导致GaN芯片价格全面下跌。

目前，德州仪器也正在积极推进电源管理芯片的生产线从8吋晶圆厂向12吋晶圆厂的转移。这一举措不仅进一步降低了产业间的电源管理芯片价格，还为德州仪器节省了超过10%的成本。