据《金融界》报道，国家知识产权局公告，华为技术有限公司申请的这项专利名为“自对准四重图案化 ( SAQP ) 半导体装置的制作方法以及半导体装置”，公开号为CN117751427A，申请日期为2021年9月。

 

多重曝光即将芯片电路掩膜图案的蚀刻分成多次完成，可以使用相对落后的技术和设备，达成和更先进工艺类似甚至更先进的结果，比如用 7nm 设备造出 5nm 芯片。而自对准四重成像技术通过在硅片上多次蚀刻线路，提高晶体管密度，进而增强芯片性能。

 

据报道，自对准四重成像技术（SAQP）能在没有最先进极紫外光（EUV）光刻设备的情况下，通过使用深紫外光（DUV）光刻机实现了5纳米制程芯片的某些技术标准。作为制造高阶芯片的EUV光刻机由于受到出口管制，无法向中国大陆出售报道称，“自对准四重成像技术”能够降低对EUV光刻机的依赖。

 

5nm芯片是什么概念？

5nm芯片的意思是芯片的宽度有很多晶体管，每个晶体管的宽度会以5nm和7nm的方式表示。专业一点，叫做“制造过程”。“nm”是一个单位，中文意思是“纳米”。1nm等于0.0000001cm，而5nm的宽度是可以想象的，小到我们肉眼可能根本分辨不出来。

 

报导引述TechInsights副董事长哈奇森（Dan Hutcheson）指出，虽然四重成像技术为制造5纳米芯片提供了可能，但它并不能完全克服没有EUV设备情况下的技术障碍。

 

目前，台积电仍依赖EUV机器生产先进半导体，以实现最高产出和最低成本。如果华为及其合作伙伴采用替代方法进行半导体生产，可能会面临单颗芯片成本高于行业标准的挑战。

 

尽管如此，这项专利的申请和公开仍然标志着华为在突破美国科技围堵方面取得了重要进展。