苏州锴威特半导体股份有限公司（以下简称“锴威特”）将于12月6日首发上会，保荐人（主承销商）为华泰联合证券有限责任公司，保荐代表人为薛峰、牟晶。

 

根据招股说明书，锴威特本次拟登陆上交所科创板，拟公开发行股票数量不超过1,842.1053万股（不含采用超额配售选择权发行的股票数量），且不低于发行后总股本的25%。

 

锴威特主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。该公司主要产品包含功率器件及功率IC两大类。

 

锴威特本次拟募集资金53,008.28万元，拟分别用于智能功率半导体研发升级项目、SiC功率器件研发升级项目、功率半导体研发工程中心升级项目和补充营运资金。

 

至招股说明书签署日，丁国华直接持有锴威特20.26%股份，同时丁国华作为苏州港晨芯企业管理合伙企业（有限合伙）（以下简称“港晨芯”）的执行事务合伙人，通过港晨芯间接控制公司8.23%的表决权，根据2019年2月签署的《一致行动协议》，罗寅、张家港市港鹰实业有限公司（以下简称“港鹰实业”）、陈锴系丁国华的一致行动人，罗寅直接持有公司17.09%的股份，港鹰实业直接持有公司10.11%的股份，陈锴直接持有公司7.24%的股份，因此丁国华直接和间接控制公司合计62.93%的表决权，为锴威特的控股股东和实际控制人。

 

营收连升

 

2019年、2020年、2021年和2022年1-6月，锴威特实现营业收入分别为10,667.95万元、13,698.04万元、20,972.89万元和11,932.42万元，实现净利润/归属于母公司股东的净利润分别为933.81万元、-1,966.86万元、4,847.72万元和3,205.01万元，实现扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润分别为450.76万元、-179.75万元、4,389.76万元和3,095.00万元。

 

报告期内，锴威特经营活动产生的现金流量净额分别为-905.31万元、-995.31万元、5,065.19万元和-3,189.96万元；销售商品、提供劳务收到的现金分别为5,778.04万元、6,751.88万元、20,226.19万元和9,791.44万元，收现比分别为0.54、0.49、0.96和0.82。

 

另据招股说明书，锴威特表示，2022年1-9月，公司实现的营业收入为17,539.48万元，较上年同期增长10.07%；归属于母公司股东的净利润为4,297.12万元，较上年同期增长21.38%；扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润为4,141.55万元，较上年同期增长26.45%，已接近2021年全年扣非后归母净利润4,389.76万元，前述数据未经申报会计师审计或审阅。

 

界面新闻：监管两轮质疑技术先进性

 

据界面新闻报道，功率器件是锴威特营收的核心，产品以高压平面MOSFET为主，并在此基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）系列产品。平面MOSFET产品包括集成快速恢复高压功率MOSFET（FRMOS）系列产品。

 

芯谋研究数据显示，锴威特2021年平面MOSFET国内市场占有率约为3.14%；Omdia数据测算2020年锴威特FRMOS产品的国内市场占有率约为6%，位列本土第四位。

 

平面MOSFET及其涵盖的FRMOS悉锴威特收入主力，但却遭到了上交所两轮技术先进性问询，针对该产品的市场竞争情况、核心技术、发明专利、研发周期等多方面要求锴威特进行说明。

 

核心技术以及发明专利系监管质疑重点之一。据招股书披露，公司共有10项核心技术，其中存在4项核心技术对应为非专利技术，且应用的产品主要为公司核心FRMOS、平面MOSFET产品。

 

截至招股书签署日，锴威特获授权的发明专利共8项。其中5项为公司成立当年取得，1项为2016年取得，2项为2020年、2021年取得，其中7项形成了主营业务收入。

 

在一轮问询函的回复中，锴威特截至2022年8月31日的境内发明专利又获批4项，共12项，但12项发明专利中，也仅有2项发明专利系应用于MOSFET产品，其余发明专利均主要应用于功率IC产品，且公司在研项目大部分均与功率IC有关。招股书显示，2019年至2021年，锴威特功率IC产品收入占主营业务收入的比重分别只有2.00%、2.41%和5.76%。

 

根据二轮问询函的回复中，公司表示MOSFET产品共涉及4项非专利技术和8项专利技术。

 

公司列举的8项专利技术涉及的发明专利共10项。其中已获得授权的发明专利仅3项，其余7项发明专利均处于在审阶段。

 

三项发明专利分别对应招股书中“一种集成耗尽型启动器件的功率MOS场效应管”、“一种利用Power MOS管实现高压快速启动的AC-DC开关电源用供电电路”、“一种集成肖特基二极管的短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”。

 

根据这三项发明专利在主营业务中的运用情况显示，除“一种利用Power MOS管实现高压快速启动的AC-DC开关电源用供电电路”发明专利应用于功率器件及功率IC产品且收入贡献占比超50%外，其余两项与MOSFET有关的发明专利贡献极低。

 

其中，“一种集成耗尽型启动器件的功率MOS场效应管”主要应用于功率器件产品，2019年至2022年1-6月的主营业务收入贡献占比分别为2.71%、1.47%、2.71%和2.93%，专利收入贡献较低。

 

公司解释原因系：其一，该项专利相关产品属于耗尽型MOSFET，该类产品只应用于部分要求低待机功耗的系统中，其市场需求相对增强型MOSFET来说占比较低，发行人功率器件主要为增强型MOSFET；其二，该专利相关产品电流较小，其单价本身较低。

 

另“一种集成肖特基二极管的短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法”应用于集成肖特基二极管的碳化硅MOSFET产品，但目前尚未形成主营业务收入。

 

21世纪经济报道：80人募资5亿元

 

据21世纪经济报道，从经营体量上看，在半导体行业，锴威特的营收规模、研发投入、技术团队竞争力优势并不显著。

 

芯片设计行业属于人才密集、资金密集型行业。2019年至2021年，锴威特研发费用分别为771万元、1388.55万元和1886.27万元，三年累计研发投入仅为4045.81万元，累计营业收入为4.53亿元。

 

2019年末、2020年末和2021年末，锴威特的员工总人数分别为56人、71人和85人，其中研发人员数量分别为25人、28人和32人，各期公司研发人员的工资薪酬分别为411.06万元、491.85万元和823.31万元。照此测算，注重专业研发投入的锴威特，在2019年至2021年公司研发人员的年薪仅在15万至20万元之间，仅相当于2021年苏州市城镇非私营单位在岗职工年平均工资元。

 

招股书中，公司表示，根据Omdia研究数据，公司2020年的收入规模在全球MOSFET功率器件市场份额约为0.23%。江苏省半导体行业协会统计数据则显示，2020年公司FRMOS产品国内市场占有率在本土企业中排名第四位。

 

而当前MOSFET市场主要份额仍主要被国际知名品牌占据，市场份额前七大公司均为英飞凌等国外知名厂商，占据了近70%的市场，国内功率半导体企业龙头华润微、士兰微及安世半导体跻身世界前十位，合计占到10%的市场份额。

 

根据Omdia研究数据，2020年MOSFET功率器件主要国内厂商中，处于头部的华润微、士兰微、华微电子等均采用IDM模式，2021年营收分别达92.49亿元和71.94亿元、22.10亿元，采用Fabless模式经营的新洁能、东微半导2021年营收也分别达14.98亿元和7.82亿元。

 

此次募资仅有员工80余人、研发人员30余人的锴威特却拟募资高达5亿元，公司的现有团队能否支撑起巨额研发投入受到市场投资者的质疑。