（图源：三星）

该论文明确指出，为了实现16层及以上的HBM内存堆叠，必须采用混合键合技术（Hybrid Bonding），称这一创新技术将引领内存封装领域的新潮流。

根据三星的规划，该公司计划于2025年制造HBM4样品，该样品将采用16层堆叠设计，并预计于2026年实现量产。

混合键合技术作为下一代封装技术的代表，其核心优势在于能够在芯片垂直堆叠时实现无凸点连接。通过硅穿孔（TSV）或微型铜线进行垂直堆叠，混合键合技术显著提高了芯片间的连接效率，降低了堆叠高度，并提高了热排放效率。这些特点使得混合键合技术在高密度、高性能内存封装中具有独特优势。

（图源：三星）

与目前三星所使用的热压焊接（TC）技术相比，混合键合技术能够支持更多芯片堆叠，同时保持更低的堆叠高度。这对于内存制造商来说是一个重大挑战，因为随着芯片堆叠层数的增加，如何缩小芯片间的间隙、降低整体高度成为了亟待解决的问题。

据悉，为了实现16层HBM内存的堆叠，三星在降低高度方面下了大功夫。根据三星的规划，HBM4的内存高度限制在775微米以内，这意味着在这个高度范围内需要封装17个芯片（包括一个基底芯片和16个核心芯片）。为了实现这一目标，三星采用了混合键合技术来缩小芯片间的间隙，从而实现了更高的集成度和便携性。

三星在混合键合技术方面的研发进展得到了业界的广泛关注。今年4月，三星使用子公司Semes的混合键合设备成功制作了HBM 16H样品，并验证了其正常运作。目前，贝思半导体（BESI）和韩华精密机械（Hanwha Precision Machinery）等企业也在积极开发混合键合设备，以满足市场对高性能内存封装技术的需求。

业内专家表示，三星在16层混合键合堆叠工艺技术方面的突破将有力推动HBM内存技术的发展。随着混合键合技术的不断成熟和应用成本的降低，未来这种高性能、高密度的内存封装技术将在更广泛的领域得到应用，为人工智能、高性能计算等前沿领域的发展提供更为强大的内存支持。

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