近日以来可以看到不少关于中国存储芯片崛起的新闻报道。

比如，三星向中国企业“求教”，表示要向中国芯片企业学习技术，并计划使用中国芯片企业的专利。又如，中国存储芯片企业推出了DDR5芯片，技术上实现从 19nm 到 17nm 的突破，并向15nm迈进，与国际巨头展开正面竞争，与三星和美光等国际巨头的差距逐渐缩小。

还有一些媒体报道称，专业机构预测，到2027年，中国存储芯片的自给率有望超过50%。

这些消息属实令人振奋，中国存储芯片产业的进步有目共睹。在2017年之前，中国在存储芯片领域的份额几乎为零，而仅七年后，进展如此迅猛，再过十年自给率可能达到50%。

然而，尽管中国存储芯片产业取得了瞩目进步，但根据业内权威机构发布的2024年第四季度全球存储芯片的排名和市场份额数据，我们或许更需要保持一份冷静。

先看NAND闪存芯片，这类芯片用于SSD等硬盘产品。根据数据显示，2024年第四季度全球NAND Flash市场规模为174.1亿美元，环比减少8.5%，同比增长42.4%。

在这一领域，排名前五的企业分别是三星、SK海力士、铠侠、美光和西部数据，这五家企业共占据了全球92.7%的市场份额，留给其他企业的份额只有7.3%，而中国企业就在这7.3%之中。

DRAM 内存芯片方面，其作为电脑内存条、手机运存等关键部件，市场地位举足轻重。2024 年第四季度，全球 DRAM 市场规模攀升至 293.45 亿美元，环比增长 13.5%，同比增幅高达 66.1%。

在这一细分领域，三星、SK 海力士、美光、南亚和华邦占据前五，五家企业合计市场份额达 95.7%，其余企业仅分得 4.3% 的份额，中国企业也位列其中。

即便极端假设 “其他” 份额全部归属中国企业，在存储芯片两大核心领域 DRAM 和 NAND（二者占据存储芯片市场 95% 以上份额），中国企业实际市场份额也仅在 5% 左右，而现实中，这些份额还被众多非中国品牌企业分摊。

当下，全球半导体产业正处于深刻变革期。人工智能、物联网等新兴技术蓬勃发展，对存储芯片的性能、容量提出更高要求，AI 驱动的高带宽内存（HBM）市场呈现爆发式增长。市场机构 Gartner 副总裁 Gaurav Gupta 预测，2025 年 HBM 市场将比去年增长 66.9%，2028 年 HBM 预计占 DRAM 市场总量的 30.6% 。

中国存储芯片产业前行之路仍道阻且长。一方面，存储芯片行业技术迭代迅速，研发投入巨大，中国企业在高端技术研发上与国际巨头相比仍存在差距，如在满足 AI 芯片高带宽、低延迟存储需求的技术方面，尚需加大研发力度。

另一方面，全球芯片产业链错综复杂，国际政治因素干扰频繁，此前长江存储就因美国出口管制，在设备采购上遭遇困境，限制了产能扩张步伐。实现关键技术与设备的自主可控，打破外部制约，成为中国存储芯片企业亟待攻克的难题。